Elenco di compatibilità dei server FusionServer RH2288H V7 - Vendi server Dell/Xfusion/Huawei,Dalla Cina.

E-mail: admin@sell-server.com

 

Notizia

  1. Casa
    2. Notizia
  2. Elenco di compatibilità dei server FusionServer RH2288H V7

 

Elenco di compatibilità dei server FusionServer RH2288H V7

Notizia 2985 Visualizzazioni

Numero di parte Capacità Dettagli
0251Y129 128GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5, RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Domestico&Overseal
0251Y129 128GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5, RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Domestico&Overseal
0620Y009 128GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds
0620Y009 128GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds
0620Y009-001 128GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Samsung 1ynm
0620Y033 128GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds
0251Y064 16GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Overseal
0251Y146 16GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),0620Y003-XH-JWY Samsung 1ynm
0251Y150 16GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Overseal
0620Y003 16GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit)
0620Y003-001 16GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm
0620Y003-002 16GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm
0620Y027 16GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit)
0620Y068 16GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Codice specifica
0620Y010 256GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,256GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,8Rango(8G*4bit),3Ds
0251Y063 32GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),Overseal
0251Y063 32GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),Overseal
0251Y143 32GB Modulo di memoria generale,2258 V7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Tre Codice delle fabbriche originali,Esclusivo all'estero
0620Y005 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit)
0620Y005-001 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm
0620Y005-002 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm
0620Y029 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit)
0620Y029-001 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),SK Hynix 1anm,P/N specificato dedicato
0620Y029-002 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),P/N specificato Samsung 1anm dedicato
0620Y069 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Codice specifica
0620Y071 32GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Codice specifica
0620Y019 48GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,48GB,288spillo,0.416n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(3G*8bit)
0620Y030 48GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,48GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,2Rango(3G*8bit)
0251Y062 64GB Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Overseal
0251Y144 64GB Modulo di memoria generale,2258 V7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Tre Codice delle fabbriche originali,Esclusivo all'estero
0620Y006 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit)
0620Y006-001 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm
0620Y006-002 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm
0620Y006-006 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Tre Codice delle fabbriche originali
0620Y031 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit)
0620Y031-003 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Samsung 1anm
0620Y031-004 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),SK Hynix 1anm
0620Y070 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Codice specifica
0620Y072 64GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Codice specifica
0620Y026 96GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.416n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit)
0620Y032 96GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit)
0620Y032 96GB Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit)

Prec:

Prossimo:

Imparentato

E-mail admin@sell-server.com