Vendi server Dell/Xfusion/Huawei,Dalla Cina.
| Numero di parte | Capacità | Dettagli |
| 0251Y129 | 128GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5, RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Domestico&Overseal |
| 0251Y129 | 128GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5, RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Domestico&Overseal |
| 0620Y009 | 128GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds |
| 0620Y009 | 128GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds |
| 0620Y009-001 | 128GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds,Samsung 1ynm |
| 0620Y033 | 128GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,128GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,4Rango(4G*4bit),3Ds |
| 0251Y064 | 16GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Overseal |
| 0251Y146 | 16GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),0620Y003-XH-JWY Samsung 1ynm |
| 0251Y150 | 16GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Overseal |
| 0620Y003 | 16GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit) |
| 0620Y003-001 | 16GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm |
| 0620Y003-002 | 16GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm |
| 0620Y027 | 16GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit) |
| 0620Y068 | 16GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,16GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,1Rango(2G*8bit),Codice specifica |
| 0620Y010 | 256GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,256GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,8Rango(8G*4bit),3Ds |
| 0251Y063 | 32GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),Overseal |
| 0251Y063 | 32GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),Overseal |
| 0251Y143 | 32GB | Modulo di memoria generale,2258 V7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Tre Codice delle fabbriche originali,Esclusivo all'estero |
| 0620Y005 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit) |
| 0620Y005-001 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm |
| 0620Y005-002 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,2Rango(2G*8bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm |
| 0620Y029 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit) |
| 0620Y029-001 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),SK Hynix 1anm,P/N specificato dedicato |
| 0620Y029-002 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),P/N specificato Samsung 1anm dedicato |
| 0620Y069 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Codice specifica |
| 0620Y071 | 32GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,32GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(2G*8bit),Codice specifica |
| 0620Y019 | 48GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,48GB,288spillo,0.416n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(3G*8bit) |
| 0620Y030 | 48GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,48GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,2Rango(3G*8bit) |
| 0251Y062 | 64GB | Modulo di memoria generale,2288H v7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Overseal |
| 0251Y144 | 64GB | Modulo di memoria generale,2258 V7, modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Tre Codice delle fabbriche originali,Esclusivo all'estero |
| 0620Y006 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit) |
| 0620Y006-001 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),P/N specificato dedicato-samsung 1ynm |
| 0620Y006-002 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),P/N specificato dedicato-hynix 1anm |
| 0620Y006-006 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Tre Codice delle fabbriche originali |
| 0620Y031 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit) |
| 0620Y031-003 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Samsung 1anm |
| 0620Y031-004 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),SK Hynix 1anm |
| 0620Y070 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.42n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Codice specifica |
| 0620Y072 | 64GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,64GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(4G*4bit),Codice specifica |
| 0620Y026 | 96GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.416n.s,4800000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit) |
| 0620Y032 | 96GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit) |
| 0620Y032 | 96GB | Modulo di memoria,DDR5-RDIMM,96GB,288spillo,0.357n.s,5600000kHz,1.1v,ECC,2Rango(6G*4bit) |